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参数目录39429
> NE856M02-AZ TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-89
型号:
NE856M02-AZ
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
CEL
描述:
TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-89
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT)
NE856M02-AZ PDF
标准包装
1
系列
-
晶体管类型
NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
12V
频率 - 转换
6.5GHz
噪声系数(dB典型值@频率)
1.1dB ~ 3dB @ 1GHz
增益
-
功率 - 最大
1.2W
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
50 @ 20mA,10V
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
100mA
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-243AA
供应商设备封装
SOT-89
包装
散装
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